英飛凌mos管原裝IPA80R600P7XKSA1正品N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)

時(shí)間：2021-08-20作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：138

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 供應(yīng) FS8205 GM8205 鋰電池保護(hù)IC 貼片TSSOP-8 全新原裝

  深圳市南北行電子發(fā)展有限公司 GM8205A 雙N通道高密度溝槽MOSFET（20V、6.0A） 產(chǎn)品摘要VDSSIDRDS(on)(m-歐姆)最大28@VGS=4.0V，ID=6.0A20V6.0A40@VGS=2.5V，ID=5.2A 特點(diǎn)先進(jìn)的溝工藝技術(shù)高密度電池設(shè)計(jì)超低電阻鉛免費(fèi)產(chǎn)品獲得表面安裝包 絕對(duì)最大額定功率（TA=25oC，除非另有說(shuō)明）符號(hào)參數(shù)額定功率單元VDS排水源電壓20VV

• 4924 4916 4906 4900 4922 4914 4946場(chǎng)效應(yīng)mos管芯片AO4948 AO4932

  AO4932 規(guī)格信息： 標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 家庭：FET - 陣列 系列：SRFET?? 包裝：帶卷（TR） FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能：邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）：30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：11A，8A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：12.5 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs

• 全新原裝 DP8205 8205A 貼片TSSOP8 鋰電池保護(hù)IC

  HSO8205是低RDSON淬火的N-CH模型。本產(chǎn)品適用于鋰離子電池組的應(yīng)用。 HSO8205滿足RoHS和綠色產(chǎn)品要求，功能可靠性齊全。 ?綠色設(shè)備可用的 ?超低門充電 ?優(yōu)秀的Cdv/dt效果下降 ?先進(jìn)的高細(xì)胞密度壕溝技術(shù) 符號(hào)參數(shù)額定單位 VDS漏源極電壓20 V VGS柵極源極電壓±12 VID@TA=25℃連續(xù)漏電流1 6 AID@TA=70℃連續(xù)漏電流1 5.4 A IDM脈沖漏電

• ADM7160AUJZ-3.3-R7 ADM7160AUJZ-3.3-R2 TSOT5 全新原裝

  ADM7160是一種超低噪聲、低輟學(xué)線性調(diào)節(jié)器，工作范圍從2.2V到5.5V，提供高達(dá)200mA的輸出電流。在200mA負(fù)載下的低150mV輟學(xué)電壓提高了效率，并允許在較寬的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 使用一種創(chuàng)新的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，ADM7160實(shí)現(xiàn)了不需要旁路電容器的超低噪聲性能，使該設(shè)備成為噪聲敏感的模擬前端和射頻應(yīng)用的理想選擇。ADM7160還在不影響PSRR或瞬態(tài)線和負(fù)載性能的情況下實(shí)現(xiàn)了超低噪聲