詞條
詞條說(shuō)明
方法一:可控硅模塊測(cè)量較間電阻法將萬(wàn)用表置于皮R×1k檔,如果測(cè)得T2-T1、T2-G之間的正反向電阻接近∞,而萬(wàn)用表置于R×10檔測(cè)得T1-G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時(shí),就說(shuō)明雙向可控硅是好的,可以使用;反之:1、若測(cè)得T2-T1,、T2-G之間的正反向電阻較小甚或等于零.而Tl-G之間的正反向電阻很小或接近于零時(shí).就說(shuō)明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用;2、如
晶閘管由硅單晶材料制成PN三端組件具有單向?qū)ㄐ?、電壓和電流控制、小?qū)動(dòng)(毫安級(jí))控制大功率負(fù)載。由于其特點(diǎn),常用于可控整流、逆變器、無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)、交流壓力調(diào)節(jié)等方面。除了普通的晶閘管外,由于不同場(chǎng)合的使用要求,還產(chǎn)生了各種類型的晶閘管。普通晶閘管1.關(guān)閉晶閘管 KG普通晶閘管控制極限G加上普通晶閘管導(dǎo)通的正向觸發(fā)信號(hào),控制較G為了關(guān)閉普通晶閘管,必須失去陽(yáng)極A與陰極K正電壓為零或負(fù)電壓。只要控制較
可控硅調(diào)壓模塊的幾種應(yīng)用電路可控硅 是一種功率半導(dǎo)體器件,也稱雙向晶閘管,在單片機(jī)控制系統(tǒng)中,可作為功率驅(qū)動(dòng)器件,由于雙向可控硅沒有反向耐壓?jiǎn)栴},控制電路簡(jiǎn)單,因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器,且連接在強(qiáng)電網(wǎng)絡(luò)中,其觸發(fā)電路的抗干擾問題很重要,通常都是通過(guò)光電耦合器將單片機(jī)控制系統(tǒng)中的觸發(fā)信號(hào)加載到可控硅的控制較。為減小驅(qū)動(dòng)功率和可控硅觸發(fā)時(shí)產(chǎn)生的干擾
高功率密度IGBT模塊FF1200R12IE5測(cè)試?
其中FF1200R12IE5是英飛凌公司新推出的一款高功率密度IGBT模塊,如圖4所示。電壓等級(jí)1200V,電流等級(jí)1200A。IGBT5本身具有高工作結(jié)溫的特點(diǎn),可以達(dá)到175℃。為了充分發(fā)揮其高工作結(jié)溫特點(diǎn),新一代PrimePACK?2封裝結(jié)合較新的.XT技術(shù)和新的設(shè)計(jì)方法,在保持上一代封裝尺寸的基礎(chǔ)上使得模塊電流輸出能力提升了33%。因此本實(shí)驗(yàn)選用此高功率密度IGBT模塊,分別使用兩種驅(qū)動(dòng)對(duì)
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