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    詞條說(shuō)明

  • 【英飛凌IGBT模塊】IGBT簡(jiǎn)介

    IGBT簡(jiǎn)介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙較型晶體管,是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上

  • SKiiP智能Mini迷你IGBT模塊設(shè)計(jì)特點(diǎn)?

    MiniSKiiP產(chǎn)品的設(shè)計(jì)特點(diǎn)是在負(fù)載和門(mén)較端子中使用易于裝配且便于維護(hù)的彈簧連接。相較于需要昂貴的焊接設(shè)備、焊接過(guò)程費(fèi)時(shí)的傳統(tǒng)焊接模塊,MiniSKiiP組裝*任何特殊工具,僅使用一到兩個(gè)螺絲連接,一步便可組裝好印刷電路板(PCB)、功率模塊和散熱片。圖1:MiniSKiiP裝配示意圖圖2:MiniSKiiP系列封裝MiniSKiiP可以提供電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的所有拓?fù)洌鏑IB(變流器-逆變器-

  • 【德國(guó)西門(mén)康可控硅】可控硅工作原理

    可控硅工作原理結(jié)構(gòu)原件可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,共有三個(gè)PN結(jié),分析原理時(shí),可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成,其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅:雙向可控硅是一種硅可控整流器件,也稱(chēng)作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無(wú)觸點(diǎn)控制,以小電流控制大電流,具有無(wú)火花、動(dòng)作快、壽命長(zhǎng)、可靠性高以及簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn)。從外表上看,雙向可控硅和普通可控硅很相似,也有三個(gè)電

  • 可控硅調(diào)速原理

    可控硅調(diào)速是用改變可控硅導(dǎo)通角的方法來(lái)改變電機(jī)端電壓的波形,從而改變電機(jī)端電壓的有效值,達(dá)到調(diào)速的目的。當(dāng)可控硅導(dǎo)通角=180時(shí),電機(jī)端電壓波形為正弦波,即全導(dǎo)通狀態(tài);當(dāng)可控硅導(dǎo)通角<180時(shí),即非全導(dǎo)通狀態(tài),電壓有效值減小;導(dǎo)通角越小,導(dǎo)通狀態(tài)越少,則電壓有效值越小,所產(chǎn)生的磁場(chǎng)越小,則電機(jī)的轉(zhuǎn)速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調(diào)速其電機(jī)的轉(zhuǎn)速可連續(xù)調(diào)節(jié)。CPU⑥腳輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)Q5放

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