CMOS圖像傳感器，路在何方？

時間：2022-12-07作者：深圳海木芯科技有限公司瀏覽：269

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• 主板cmos電路分析哪些方面，CMOS電路ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計作用是什么？

  CMOS電路是互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體電路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)的英文字頭縮寫，它由絕緣場效應(yīng)晶體管組成，由于只有一種載流子，因而是一種單較型晶體管集成電路，其基本結(jié)構(gòu)是一個N溝道MOS管和一個P溝道MOS管，如下圖所示。CMOS電路基本結(jié)構(gòu)示意圖cmos電路工作原理cmos電路分析工作原理如下：由于兩管柵較工作電壓極性相反，故將兩管柵較相

• 中國攝像頭CMOS需求潛力旺盛

  中國攝像頭CMOS需求潛力旺盛CCD和CMOS在制造上的主要區(qū)別是CCD是集bai成在半導(dǎo)體單晶材料上du，而CMOS是集成zhi在被稱做金屬氧化物的半導(dǎo)體材料dao上，工作原理沒有本質(zhì)的區(qū)別。CCD只有少數(shù)幾個廠商例如索尼、松下等掌握這種技術(shù)。而且CCD制造工藝較復(fù)雜，采用CCD的攝像頭價格都會相對比較貴。事實上經(jīng)過技術(shù)改造，目前CCD和CMOS的實際效果的差距已經(jīng)減小了不少。而且CMOS的制造

• SOI CMOS結(jié)構(gòu)和工藝

  常規(guī)的CMOS結(jié)構(gòu)中，電源與地之間存在寄生的PNPN即SCR結(jié)構(gòu)。當(dāng)SCR被觸發(fā)時，電源到地之間存在低阻通道，引起較大電流，破壞電路工作甚至燒毀電路，這就是閂鎖效應(yīng) (Latch-up)。為避免閂鎖效應(yīng)，早期采用SOS (Silicon On Sapphire) 技術(shù)制作CMOS電路，即在藍(lán)寶石絕緣襯底上外延硅，之后制作器件，這就有效的避免MOS管的源、漏區(qū)和襯底之間形成PN結(jié)。但是，藍(lán)寶石價格昂

• CMOS微縮結(jié)束了嗎？

  不可否認(rèn)的是，CMOS的微縮已經(jīng)成為推動過去幾十年的巨大進(jìn)步的“燃料”，以提高性能、效率和降低集成電路和系統(tǒng)的成本，從而實現(xiàn)新的應(yīng)用。摩爾定律的終結(jié)已經(jīng)被預(yù)言了很多次，而材料、設(shè)備概念和圖案的創(chuàng)新已經(jīng)為當(dāng)前的10nm以下技術(shù)掃清了道路。然而，該行業(yè)已經(jīng)到了這樣一個階段:過去50年的規(guī)?；鶐淼墓?、性能、面積和成本(PPAC)方面的典型收益已經(jīng)變得越來越難以實現(xiàn)，尤其是在展望未來3nm技術(shù)的時候