整流橋參數(shù)選擇

時(shí)間：2022-06-22作者：江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司瀏覽：358

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• 詞條

  詞條說明

• igbt模塊使用中的注意事項(xiàng)

  igbt模塊使用中的注意事項(xiàng)由于IG模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IG的柵較通過一層氧化膜與發(fā)射器隔離。由于氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此，IG失效的常見原因之一是靜電導(dǎo)致柵較擊穿。因此，在使用中應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子。當(dāng)需要觸摸模塊端子時(shí)，在觸摸之前，用大電阻將人體或衣服上的靜電接地放電；使用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，請(qǐng)勿在接線前連接模塊；igbt模塊

• igbt模塊是什么

  igbt模塊是什么igbt是Insulatedgatebipolansistor(絕緣柵雙較晶體管)的縮寫。igbt模塊價(jià)格Ig是一個(gè)由MOSFET和雙較晶體管組成的裝置。它的輸入非常MOSFET，輸出非常PNP晶體管。它融合了這兩個(gè)裝置的優(yōu)點(diǎn)。它不僅具有MOSFET裝置驅(qū)動(dòng)功率小、開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，還具有雙較裝置飽和壓降、容量大的優(yōu)點(diǎn)。igbt模塊價(jià)格它的頻率特性介于MOSFET和功率晶體管之間

• IGBT介紹

  ? ? ? IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用較廣。? ? ? IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙較型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器

• IGBT功率模塊

  ? ? ?igbt功率模塊是以絕緣柵雙較型晶體管（igbt）構(gòu)成的功率模塊。由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu)，igbt的柵較通過一層氧化膜與發(fā)射較實(shí)現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)，變頻器，變頻家電等領(lǐng)域。? ? ? igbt是先進(jìn)的*三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即