詞條
詞條說(shuō)明
方法IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低
一文讀懂IGBT模塊特點(diǎn)及技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
IGBT的工作原理IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)
富士IGBT在電子設(shè)備中有多種應(yīng)用,包括但不限于以下幾個(gè)方面:變頻器和驅(qū)動(dòng)器:富士IGBT廣泛應(yīng)用于變頻器和驅(qū)動(dòng)器中,用于控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)矩。通過(guò)調(diào)節(jié)富士IGBT的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài),可以實(shí)現(xiàn)對(duì)變頻器輸出電壓和頻率的精確控制,從而實(shí)現(xiàn)電機(jī)的調(diào)速、啟動(dòng)和制動(dòng)等功能。電力系統(tǒng)和供電設(shè)備:富士IGBT在電力系統(tǒng)和供電設(shè)備中的應(yīng)用包括交流/直流電源、UPS(不間斷電源)、電網(wǎng)穩(wěn)壓器和電動(dòng)車充電器等。富士IG
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