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詞條說明
在使用富士IGBT時(shí)需要注意以下幾點(diǎn)事項(xiàng):電壓和電流匹配:選擇適當(dāng)?shù)母皇縄GBT型號(hào),確保其額定電壓和額定電流能夠滿足實(shí)際工作條件的需求,并注意不要超過其電壓和電流的極限值。散熱設(shè)計(jì):富士IGBT在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生熱量,因此需要進(jìn)行合適的散熱設(shè)計(jì),確保器件能夠在正常工作溫度范圍內(nèi)運(yùn)行。選擇合適的散熱材料和散熱器,并正確安裝和調(diào)整散熱系統(tǒng)。靜電防護(hù):富士IGBT是一種敏感的半導(dǎo)體器件,對(duì)靜電有很高的敏感
英飛凌IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件,具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。以下是英飛凌IGBT的一些主要用途:變頻驅(qū)動(dòng)器:英飛凌IGBT被廣泛用于交流電驅(qū)動(dòng)器中,例如用于工業(yè)應(yīng)用中的電機(jī)控制,如風(fēng)力發(fā)電機(jī)、電梯、水泵、壓縮機(jī)等。其高電壓和高電流能力使其適用于各種功率需求。電力傳輸和分配:英飛凌IGBT在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用廣泛,用于直流輸電、柔性交流輸電系統(tǒng)、高壓直流輸電站等。它們能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電力傳輸和變換,提
方法IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)
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