KRI 離子源用于UVC人機(jī)共存紫外濾光片鍍膜

時(shí)間：2024-01-10作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：66

伯東企業(yè)（上海）有限公司專(zhuān)注于pfeiffer,氦質(zhì)譜檢漏儀,inTEST等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 美國(guó) HVA 真空閥門(mén)選型

  上海伯東美國(guó)?HVA 真空閥門(mén)選型實(shí)例產(chǎn)品系列特點(diǎn)口徑HVA 真空閘閥 11000 系列介面, 控制方式全包括DN 16 到 DN 600HVA 真空層流閘閥 13000系列防腐蝕DN 40 到 DN 300HVA 真空層流閘閥 16000系列防顆粒污染DN 40 到 DN 350HVA 矩形閥 21200 系列長(zhǎng)使用壽命DN 16 到 DN 300HVA 3位真空閘閥 21700系列

• 氦質(zhì)譜檢漏儀 CVD 設(shè)備檢漏,滿(mǎn)足第三代半導(dǎo)體芯片量產(chǎn)

  氦質(zhì)譜檢漏儀?CVD 設(shè)備檢漏, 滿(mǎn)足*三代半導(dǎo)體芯片量產(chǎn)上海伯東某客戶(hù)是一家以**化合物半導(dǎo)體光電器件相關(guān)產(chǎn)品衍生智造為主業(yè)的創(chuàng)新型科技公司, **產(chǎn)品是物聯(lián)網(wǎng), 5G 通訊, 安防監(jiān)控等*三代半導(dǎo)體芯片. 芯片在生產(chǎn)過(guò)程中使用 CVD 設(shè)備做鍍膜處理, 在鍍膜過(guò)程中需要保持設(shè)備處于高真空狀態(tài), 這就要求腔體的泄漏率不能過(guò) 1E-10 mbrl l/s.CVD?設(shè)備檢漏要

• HVA 真空插板閥（真空閥門(mén)）用于激光真空系統(tǒng)

  因產(chǎn)品配置不同，價(jià)格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。美國(guó)HVA帶孔真空插板閥（真空閥門(mén)）真空閘閥廣泛用于激光真空系統(tǒng)伯東公司代理美國(guó)HVA帶孔真空插板閥(Gate Valve)真空閥門(mén)廣泛用于激光真空系統(tǒng)HVA Gate Valve在激光真空系統(tǒng)上的應(yīng)用伯東企業(yè)（上海）有限公司, 為美國(guó)HVA 真空閥門(mén)在中國(guó)境內(nèi)的代理商, 并負(fù)責(zé)HVA Valve 真空閥門(mén)在中國(guó)地區(qū)的銷(xiāo)售

• KRi 大面積射頻離子源應(yīng)用于 12英寸,8英寸 IBE 離子束蝕刻系統(tǒng)

  上海伯東美國(guó)?KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源? RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸 IBE? 離子束蝕刻機(jī), 刻蝕均勻性（1 σ）達(dá)到< 1%. 可以用來(lái)刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導(dǎo)體, 絕緣體, 導(dǎo)體等.離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其部件為大面積離子源. 作為蝕刻機(jī)的部件,