詞條
詞條說(shuō)明
電子元器件失效分析 1、簡(jiǎn)介 電子元器件技術(shù)的快速發(fā)展和可靠性的提高奠定了現(xiàn)代電子裝備的基礎(chǔ),元器件可靠性工作的根本任務(wù)是提高元器件的可靠性。因此,必須重視和加快發(fā)展元器件的可靠性分析工作,通過(guò)分析確定失效機(jī)理,找出失效原因,反饋給設(shè)計(jì)、制造和使用,共同研究和實(shí)施糾正措施,提高電子元器件的可靠性。 電子元器件失效分析的目的是借助各種測(cè)試分析技術(shù)和分析程序確認(rèn)電子元器件的失效現(xiàn)象,分辨其失效模式和失
1.引言 隨著納米科技的發(fā)展,納米尺度制造業(yè)發(fā)展*,而納米加工就是納米制造業(yè)的核心部分,納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的聚焦離子束(FIB)技術(shù)利用高強(qiáng)度聚焦離子束對(duì)材料進(jìn)行納米加工,配合掃描電鏡(SEM)等高倍數(shù)電子顯微鏡實(shí)時(shí)觀察,成為了納米級(jí)分析、制造的主要方法。目前已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理 聚焦離子束(ed Ion beam, F
掃描電鏡(SEM) 服務(wù)介紹:SEM/EDX(形貌觀測(cè)、成分分析)掃描電鏡(SEM)可直接利用樣品表面材料的物質(zhì)性能進(jìn)行微觀成像。EDX是借助于分析試樣發(fā)出的元素特征X射線波長(zhǎng)和強(qiáng)度實(shí)現(xiàn)的,根據(jù)不同元素特征X射線波長(zhǎng)的不同來(lái)測(cè)定試樣所含的元素。通過(guò)對(duì)比不同元素譜線的強(qiáng)度可以測(cè)定試樣中元素的含量。通常EDX結(jié)合電子顯微鏡(SEM)使用,可以對(duì)樣品進(jìn)行微區(qū)成分分析。 服務(wù)范圍:**,航天,半導(dǎo)體,先進(jìn)
芯片常用分析手段: 1、X-Ray 無(wú)損偵測(cè),可用于檢測(cè) IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性 PCB制程中可能存在的缺陷如對(duì)齊不良或橋接 開(kāi)路、短路或不正常連接的缺陷 封裝中的錫球完整性 2、SAT超聲波探傷儀/掃描超聲波顯微鏡 可對(duì)IC封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行非破壞性檢測(cè), 有效檢出因水氣或熱能所造成的各種破壞如﹕ 晶元面脫層 錫球、晶元或填膠中的裂縫 封裝材料內(nèi)部的氣孔 各種孔洞
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備
激光開(kāi)封機(jī)laser decap開(kāi)蓋開(kāi)封開(kāi)帽ic開(kāi)封去封裝
開(kāi)短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線
聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析
超聲波掃描顯微鏡CSAN無(wú)損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析
電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡
EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光發(fā)射顯微鏡
IV曲線測(cè)試開(kāi)短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀
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