MAX6675 熱電偶 模塊 溫度傳感器 程序 代碼 測溫模塊 可1024度

時間：2021-09-15作者：深圳市云創(chuàng)達科技有限公司瀏覽：44

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• 詞條

  詞條說明

• 供應(yīng)全新MS51FB9AE 貼片TSSOP20 兼容替代 N76E003AT20 微控制器

  1 概述 MS51為帶有Flash的增強型8位8051內(nèi)核微控制器（1T工作模式），指令集與標準的80C51完全兼容并具備更高效能。 MS51 16K系列內(nèi)嵌18K的Flash存儲區(qū)，通常稱作APROM，用于存放用戶程序代碼。該Flash存儲區(qū)支持在應(yīng)用編程（IAP）功能，即可通過片內(nèi)固件更新程序代碼。IAP功能同時提供用戶可自行配置程序區(qū)域或數(shù)據(jù)存儲區(qū)。 IAP功能可以對數(shù)據(jù)存儲區(qū)進行讀寫操作，

• 供應(yīng)原裝正品 貼片 TPS54360DDAR SOIC-8 60V輸入 3A 降壓轉(zhuǎn)換器

  說明 TPS54360 是一款具有集成型高側(cè) MOSFET 的 60V、3.5A 降壓穩(wěn)壓器。按照 ISO 7637 標準，此器件能夠 耐受的拋負載脈沖高達 65V。電流模式控制提供了簡 單的外部補償和靈活的組件選擇。一個低紋波脈沖跳躍 模式將無負載時的電源電流減小至 146μA。當啟用引 腳被拉至低電平時，關(guān)斷電源電流被減少至 2μA。 欠壓閉鎖在內(nèi)部設(shè)定為 4.3V，但可用使能引腳將之提 高。

• 供應(yīng) FDV301N 絲印301 SOT-23 N溝道 25V/220mA 貼片MOSFET 全新原裝

  一般說明 這種n通道邏輯級增強模式場效應(yīng)晶體管是使用仙童的專有的，高電池密度，DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這種非常高密度的過程是特別適合于較小化狀態(tài)電阻。該裝置已被特別設(shè)計用于低壓應(yīng)用，作為數(shù)字晶體管的替代品。由于不需要偏置電阻，這種n通道場效應(yīng)晶體管可以用不同的偏置電阻值代替幾個不同的數(shù)字晶體管。 特征 25V，0.22A連續(xù)，0.5A峰值。 RDS(ON)=5W@VGS=2.7V RDS(ON)=4

• OPA4180IDR 運算放大器四路低噪聲放大器

  說明 OPA180、OPA2180 和 OPA4180 運算放大器采用 TI的專有零漂移技術(shù)，可同時提供低失調(diào)電壓 (75μV)， 并隨時間推移和溫度變化實現(xiàn)接近零漂移的性能。這些 高精度、低靜態(tài)電流微型運算放大器提供高輸入阻抗和 擺幅在電源軌 18mV 之內(nèi)的軌至軌輸出。輸入共** 圍包括負電源軌。電壓范圍為 4V 至 36V（±2V 至 ±18V）的單電源或雙電源均可使用。 雙通道版本 可采用