供應(yīng) 全新FH35C-39S-0.3SHW 0.3間距 39P FPC連接器

時(shí)間：2021-08-19作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：122

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 全新原裝 進(jìn)口 STM8L151F3U6TR低功耗8位機(jī)芯片UFQFPN20封裝

  特征 ?運(yùn)行條件 –工作電源：1.65至3.6 V （無(wú)BOR），1.8至3.6 V（有BOR） –溫度范圍：-40至85或125°C ?低功耗功能 –5種低功率模式：等待、低功率運(yùn)行、， 低功耗等待，帶RTC的活動(dòng)暫停，暫停 –每I/0超低泄漏：50毫安 –從停止?fàn)顟B(tài)快速喚醒：5μs ?高級(jí)STM8內(nèi)核 –哈佛體系結(jié)構(gòu)和三階段管道 –最大頻率：16 MHz，16 CISC MIPS峰值 –多達(dá)4

• 原裝正品 MT40A512M8RH-083E:B 封裝FBGA-78 儲(chǔ)存器芯片IC

  描述 DDR4sdram是一種高速動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其內(nèi)部配置為用于x16配置的8行DRAM和用于x4和x8配置的16行DRAM。DDR4sdram使用8n-預(yù)取架構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)高速操作。8n-預(yù)取體系結(jié)構(gòu)與一個(gè)接口相結(jié)合，該接口被設(shè)計(jì)用于在輸入/輸出引針的每個(gè)時(shí)鐘周期上傳輸兩個(gè)數(shù)據(jù)字。 針對(duì)DDR4sdram的單個(gè)READ或?qū)懭氩僮靼ㄔ趦?nèi)部DRAM核心的單個(gè)8n位寬、四時(shí)鐘數(shù)據(jù)傳輸和在I/O針腳的

• 供應(yīng)原裝正品 貼片 TPS22976DPUR 22976 WSON-14 雙通道負(fù)載開關(guān)芯片

  說(shuō)明 TPS22976 產(chǎn)品系列包含三款器件：TPS22976、TPS22976A 和 TPS22976N。每款器件都是一個(gè)接通 受控的雙通道負(fù)載開關(guān)。此器件包含兩個(gè)可在 0.6V 至 5.7V 輸入電壓范圍內(nèi)運(yùn)行的 N 溝道 MOSFET，并且每通道可支持最大 6A 的持續(xù)電流。每個(gè)開關(guān)可由一個(gè)導(dǎo)通/關(guān)斷輸入（ON1 和 ON2）獨(dú)立控制，此輸入可與低壓控制信號(hào)直接連接。TPS22976 能夠在

• 供應(yīng) 全新原裝 IMP809SEUR/T 封裝SOT23-3 MCU微處理器復(fù)位電路

  IMP809/IMP810是3.0V、3.3V和5.0V電源監(jiān)控電路，針對(duì)低功率微處理器(μP)、微控制器(μC)和數(shù)字系統(tǒng)進(jìn)行了優(yōu)化。IMP809/810是MaximMAX809/810的改進(jìn)的插入式替代品，并具有低60%的電源電流。 如果電源電壓降至預(yù)設(shè)復(fù)置閾值以下，并且在電源上升至復(fù)置閾值以上后聲明至少140ms，則發(fā)出復(fù)位信號(hào)。IMP809有一個(gè)主動(dòng)-低復(fù)位輸出，保證處于VCC低至1.1V